EC-80P手持式探针无损涡流法电阻测量仪
产品型号: EC-80P
产品特点: 手持式探针无损涡流法电阻测量仪
只需触摸手持式探头即可测量电阻。
在电阻/薄层电阻测量模式之间轻松切换
使用JOG拨盘轻松设置测量条件
连接到连接器的可替换电阻测量探头可支持多种电阻
（电阻探头：最多可以使用2 + PN判断探头）

手持式探针无损涡流法电阻测量仪 的详细介绍
手持式探针无损涡流法电阻测量仪
 
测量规格
测量目标
半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管，DLC，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关（金属，ITO等）
硅基外延，离子与
半导体相关的注入样品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*请与我们联系）
测量尺寸
无论样品大小和形状如何均可进行测量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
测量范围
[电阻] 1m至200Ω·cm 
（*所有探头类型的总范围/厚度500um）
[板电阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探头类型的总范围）
*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太阳能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）
测量规格
测量目标
半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管，DLC，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关（金属，ITO等）
硅基外延，离子与
半导体相关的注入样品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*请与我们联系）
测量尺寸
无论样品大小和形状如何均可进行测量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
测量范围
[电阻] 1m至200Ω·cm 
（*所有探头类型的总范围/厚度500um）
[板电阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探头类型的总范围）
*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太阳能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）